Hersteller Produktnummer:
TSM110NB04CR RLG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM110NB04CR RLG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 54A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventar:
2000 Stück Neu Original Auf Lager
12895187
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TSM110NB04CR RLG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 54A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1443 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5.2x5.75)
Paket / Koffer
8-PowerLDFN
Basis-Produktnummer
TSM110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM110NB04CRRLGTR
-2068-TSM110NB04CRRLGCT
TSM110NB04CRRLGDKR
TSM110NB04CRRLGCT
-2068-TSM110NB04CRRLGTR
-2068-TSM110NB04CRRLGTR-DG
-2068-TSM110NB04CRRLGDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMS3014SFG-13
MOSFET N-CH POWERDI3333-8
DMN3025LFV-13
MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
TSM230N06CI C0G
MOSFET N-CH 60V 50A ITO220
